稲見 栄一
　稲見 栄一

　　　所属: 　千葉大学 大学院工学研究院 融合理工学府
　先進理化学専攻 物質科学コース
　特任講師
　　　連絡先: 　〒263-8522千葉市稲毛区弥生町1-33
　E-mail : e_inami[at]chiba-u.jp ([at]を@に変換してください)
　　
学位

2009年07月 　博士（工学）　（大阪大学）
略歴

2005年04月 - 2007年10月 　大阪大学 産業科学研究所　特任助教
2007年11月 - 2012年02月 　大阪大学 産業科学研究所　助教
2012年03月 - 2013年03月 　大阪大学 大学院工学研究科　特任助教
2013年04月 - 2015年03月 　大阪大学 大学院工学研究科　特任講師
2015年04月 - 2016年03月 　法政大学 マイクロナノテクノロジー研究センター　ポスト・ドクター
2016年04月 - 現在 　千葉大学 大学院融合科学研究科　特任講師
教育活動

2016年12月20 - 21日 　【講義】　極限表面科学特論　(博士前期課程)
2016年08月05 　【講義】　千葉大学大学院融合科学研究科ナノサイエンス学科オープンキャンパス　(高校生)
2014年11月08日 　【課外授業】　Saturday Afternoon Physics (SAP) 2014 　(高校生)
2013年05月14日 　【講義】　先端集積エレクトロニクス工学特論　 (博士後期課程)
2012年10月31日 　【講義】　近接場ナノ工学 (博士前期課程)　 (博士後期課程)
2012年04月24日 　【講義】　先端集積エレクトロニクス工学特論　(博士後期課程)
2004年09月27 - 29日 　【講習/実習】　トンネル顕微鏡講習 　(博士前期課程)
2004年12月15 - 16日 　【課外活動】　ITナノテクノロジー研究グループ平成１６年度学生若手研究者セミナー (学部4年生、博士前期課程、博士後期課程)
研究活動

専門分野は、光物性、表面界面物性、ナノ構造物理です。超短パルスレーザーや走査型プローブ顕微鏡（SPM）を活用して、「原子レベルでの表面物性の解明」、「新規ナノ材料の開発」および「新しいプローブ顕微鏡法の開発」を行っています。また最近では、有機化学的な手法による太陽電池の開発・研究も行っています。

研究キーワード: STM、AFM、太陽電池、原子分子操作、レーザー
所属学会

2001年06月 - 現在 　日本物理学会　会員
2010年11月 - 現在 　日本表面科学会　会員
2013年04月 - 現在 　応用物理学会　会員
2014年07月 - 現在 　励起ナノプロセス研究会　会員
2015年12月 - 現在 　日本化学会　会員
受賞

　2017年05月20日
　　　第36回表面科学学術講演会 講演奨励賞 若手研究者部門 (日本表面科学会)
　　　「ナノクラスターを利用した室温スイッチ素子の創成」

　2009年03月09日
　　　Selected in Virtual Journal of Nanoscale Science and Technology, vol.19, Issue 10 (2009) (米国物理学協会、米国物理学会)
　　　"Formation of sp3-bonded carbon nanostructures by femtosecond laser excitation of graphite"
　　　Jun'ichi Kanasaki, Eiichi Inami, Katsumi Tanimura, Hiromasa Ohnishi, and Keiichiro Nasu,
　　　Physical Review Letters, vol.102 (2009) pp.087402:1-4.

　2007年07月23日
　　　Selected in Virtual Journal of Nanoscale Science and Technology, vol.16, Issue 4 (2007) (米国物理学協会、米国物理学会)
　　　"Electronic bond rupture of Si atoms on Si(111)-(2×1) induced by valence excitation"
　　　Eiichi Inami and Katsumi Tanimura,
　　　Physical Review B, vol.76 (2007) pp.035311:1-11.
学術論文

  1. "Straight Imaging and Mechanism behind Grain Boundary Electron Emission in Pt-doped Ultrananocrystalline Diamond Films"
    Kalpataru Panda, Eiichi Inami, Yoshiaki Sugimoto, Kamatchi J. Sankaran, I-Nan Lin,
    Carbon, vol.111 (2017) pp.8-17.

  2. "Combined atomic force microscopy and voltage pulse technique to accurately measure the electrostatic force"
    Eiichi Inami, Yoshiaki Sugimoto,
    Japanese Journal of Applied Physics, vol.55 (2016) pp.08NB05:1-8.

  3. "Accurate extraction of electrostatic force by a voltage-pulse force spectroscopy"
    Eiichi Inami, Yoshiaki Sugimoto,
    Physical Review Letters, vol.114 (2015) pp.246102:1-5.

    [Press Release]
    [Focus in APS Physics]
    [日経産業新聞]
    [Forschung pro-physik.de]
    [物理]
    [OPTRONICS ONLINE]

  4. "Room-temperature concerted switch made of a binary atom cluster"
    Eiichi Inami, Ikutaro Hamada, Keiichi Ueda, Masayuki Abe, Seizo Morita, Yoshiaki Sugimoto,
    Nature Communications, vol.6 (2015) pp.6231:1-7.

    [Press Release]
    [Feature in Phys.org]
    [日刊工業新聞(紙面)(Web)]
    [nano2biz]
    [Nanotech Japan]

  5. "Direct observation and mechanism for enhanced field emission sites in platinum ion implanted/post-annealed ultrananocrystalline diamond films"
    Kalpataru Panda, Kamatchi J. Sankaran, Eiichi Inami, Yoshiaki Sugimoto, Nyan Hwa Tai, and I-Nan Lin,
    Applied Physics Letters, vol.105 (2014) pp.163109:1-5.

  6. "Crucial roles of holes in electronic bond rupture on semiconductor surfaces"
    Junji Tsuruta, Eiichi Inami, Jun'ichi Kanasaki, and Katsumi Tanimura,
    Surface Science, vol.626 (2014) pp.49-52.

  7. "Role of applied bias and tip electronic structure in the scanning tunneling microscopy imaging of highly oriented pyrolytic graphite"
    Gilberto Teobaldi, Eiichi Inami, Jun'ichi Kanasaki, Katsumi Tanimura, and Alexander L Shluger,
    Physical Review B, vol.85 (2012) pp.085433:1-15.

  8. "Intact-sheet double-layer ablation induced by femtosecond-laser excitation of graphite"
    Hiromasa Ohnishi, Eiichi Inami, Jun'ichi Kanasaki,
    Surface Science, vol.605 (2011) pp.1497-1502.

  9. "Local bond rupture of Si atoms on Si(111)-(2×1) induced by the surface π-π* excitation"
    Eiichi Inami and Katsumi Tanimura,
    Surface Science, vol.603 (2009) pp.L63-L65.

  10. "Formation of sp3-bonded carbon nanostructures by femtosecond laser excitation of graphite"
    Jun'ichi Kanasaki, Eiichi Inami, Katsumi Tanimura, Hiromasa Ohnishi, and Keiichiro Nasu,
    Physical Review Letters, vol.102 (2009) pp.087402:1-4.

    [Nature "Research Highlight"]
    [Nature Nanotechnology "Research Highlight"]
    [Selected paper of Virtual Journal of Nanoscale Science and Technology vol.19, Issue 10 (2009)]
    [News@KED]

  11. "Electronic bond rupture of Si atoms on Si(111)-(2×1) induced by valence excitation"
    Eiichi Inami and Katsumi Tanimura,
    Physical Review B, vol.76 (2007) pp.035311:1-11.

    [Selected paper of Virtual Journal of Nanoscale Science and Technology vol.16, Issue 4 (2007)]

  12. "Fermi-level dependent morphology in photoinduced bond breaking on (110) surfaces of III-V semiconductors"
    Jun'ichi Kanasaki, Eiichi Inami and Katsumi Tanimura,
    Surface Science, vol.601 (2007) pp.2367-2372.

  13. "Two-hole localization mechanism for electronic bond rupture of surface atoms by laser-induced valence excitation of semiconductors"
    Katsumi Tanimura, Eiichi Inami, Jun'ichi Kanasaki, and Wayne P. Hess,
    Physical Review B, vol.74 (2006) pp.035337:1-8.

  14. "Bond rupture of threefold-coordinated Si atoms at intrinsic sites on the Si(111)-(2×1) induced by 1.16eV photon excitation"
    Eiichi Inami, Ken'ichi Ishikawa, and Katsumi Tanimura,
    Surface Science, vol.540 (2003) pp.L587-L592.

  15. "Electronic bond rupture of Si atoms on Si(111)-(2×1) induced by 1.16eV photon excitation"
    Eiichi Inami, Ken'ichi Ishikawa, Jun'ichi Kanasaki and Katsumi Tanimura,
    Surface Science, vol.528 (2003) pp.115-120.
プレスリリース・メディア報道

　2015年07月14日
　　　「阪大，物質間の静電気力を精密測定」
　　　OPTRONICS ONLINE

　2015年07月12日
　　　「原子力显微镜精确测量静电力的新方法」
　　　物理　vol.44 (2015) p.459

　2015年06月25日
　　　「Atome schwungvoll ausmessen」
　　　pro-physik.de　(Forschung 欄)

　2015年06月23日
　　　「静電気力を精密測定　阪大　太陽電池の評価正確に」
　　　日経産業新聞　(2015年6月23日発行、8面)

　2015年06月19日
　　　「Pulse Give New Force to Probe Microscopy」
　　　APS physics　(Focus 欄)

　2015年06月19日
　　　「2つの物体の間に働く静電気の力　精密に測定することに成功！」
　　　大阪大学プレスリリース　ResOU　(リソウ)

　2015年03月11日
　　　「室温で動作するナノスイッチの組み立てに成功」
　　　nano2biz　(技術開発動向 欄)

　2015年02月23日
　　　「室温で動作するナノスイッチの組み立てに成功」
　　　ナノテクジャパン　(ナノテク情報 欄)

　2015年02月17日
　　　「室温動作スイッチ　阪大開発」
　　　日刊工業新聞　(2015年2月17日発行、19面)・(Web版)

　2015年02月17日
　　　「Nano switch could store memory using coordinated 'dance' of atoms」
　　　Phys. Org　(Nanotechnology 欄)

　2015年02月06日
　　　「室温で動作するナノスイッチの組み立てに成功！」
　　　大阪大学プレスリリース　ResOU　(リソウ)

　2009年06月04日
　　　「光でつくるダイヤモンド 〜光誘起相転移のしくみにせまる〜」
　　　News@KED

　2009年03月12日
　　　「Materials science: Diaphite domains」
　　　Nature　(Research Highlights) vol.458 (2009) p.129　

　2009年03月06日
　　　「Carbon allotropes: Laser phase」
　　　Nature Nanotechnology　(Research Highlights) Vol.4 (2009) pp.208-209
外部資金

  1. 村田学術振興財団　研究助成, 平成29年度
    「室温・原子スイッチ機能による超小型・不揮発メモリ開発」

  2. 日本学術振興会　科学研究費補助金　新学術領域研究「配位アシンメトリー」, 平成29年度-30年度
    「キラルナノクラスターの自己組織化による超大容量不揮発性メモリの創製」
    研究代表者

  3. 日本学術振興会　科学研究費補助金　新学術領域研究「分子アーキテクトニクス」, 平成25年度-29年度
    「スピン偏極STMによる単一分子の磁気伝導特性の解明」
    連携研究者 (研究代表者・山田豊和)

  4. 日本学術振興会　科学研究費補助金　若手研究(B), 平成28年度-29年度
    「AFM/STMを用いた局所キャリアダイナミクスの時間分解測定」
    研究代表者

  5. 日本学術振興会　科学研究費補助金　基盤研究(C), 平成28年度-30年度
    「ペロブスカイト太陽電池を構成するヘテロ接合薄膜の構造と電子物性の解明」
    研究分担者 (研究代表者・緒方 啓典)

  6. 日本学術振興会　科学研究費補助金　若手研究(B), 平成24年度-25年度
    「極短光パルス励起によるグラファイト構造相転移の核形成過程に関する研究」
    研究代表者

  7. 大阪大学産研・原子力工学専攻 21 世紀 COE 若手研究(B), 平成17年度
    「Si(111)-(2×1)表面におけるレーザー誘起表面構造変化機構の研究」

  8. 大阪大学産研・原子力工学専攻 21 世紀 COE 若手研究(B)， 平成16年度
    「Si(111)-(2×1)表面におけるレーザー誘起表面構造変化機構の研究

  9. 大阪大学産研・原子力工学専攻 21 世紀 COE 若手研究(B), 平成15年度
    「Si(111)-(2×1)表面におけるレーザー誘起表面構造変化機構の研究」